訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SI1012X-T1>芯片詳情
SI1012X-T1_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 0.6A新征途電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI1012X-T1
- 功能描述:
MOSFET 20V 0.6A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市新征途電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
莊先生
- 手機:
13049890950
- 詢價:
- 電話:
13049890950
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)中航路7號鼎誠國際大廈1905
相近型號
- SI1012R-TI-GE3
- SI1012X-T1-GE3-HXY
- SI1012R-T1-LF
- SI1012R-T1IC
- SI1012X-TE-E3
- SI1012X-TI-GE3
- SI-10130-F
- SI-10133-F
- SI1012R-T1-GE3IC
- SI1013AGM
- SI1012R-T1-GE3-HXY
- SI1013-A-GM
- SI1012R-T1-GE3
- SI1013AGMR
- SI1012RT1GE3
- SI1013-A-GMR
- SI1013CGM2
- SI1012R-T1-E3
- SI1013-C-GM2
- SI1012RT1E3
- SI1013CGM2R
- SI1012R-T1-E1
- SI1013-C-GM2R
- SI1012R-T1
- SI1013CS-T1-GE3
- SI1012R-S6-GE3
- SI1013C-T1
- SI1013CX
- SI1013CX-T1-E3
- SI1012RFETIGBTIC
- SI1013CXT1GE3
- SI1012R1
- SI1013CX-T1-GE3
- SI1012R
- SI1013R
- SI1012LT1G
- SI1012K
- SI1013R1
- SI1013R1-E3
- SI1013R-T1
- SI1012CR-T1-GE3IC
- SI1012CR-T1-GE3FET
- SI1013RT1E3
- SI1012CR-T1-GE3
- SI1013R-T1-E3
- SI1012CRT1GE3
- SI1012CR-T1-E3
- SI1013RT1GE3
- SI1012CR
- SI1013R-T1-GE3