訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SI1905BDH-T1-E3>芯片詳情
SI1905BDH-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 8.0V 0.63A 0.357W科芯源微電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI1905BDH-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 8.0V 0.63A 0.357W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市科芯源微電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
林佳偉
- 手機:
13692203079
- 詢價:
- 電話:
13692203079
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道深坊C座5102
相近型號
- SI1904EDH
- SI1905DL
- SI1904EDC-T1
- SI1905DL1
- SI1904DL-T1-GE3
- SI1905DL-T1
- SI1904DL-T1-E3
- SI1905DLT1E3
- SI1905DL-T1-E3
- SI1905DL-T1-E3/BKN
- SI1905DL-T1-E3IC
- SI1903DL-T1-GE3
- SI1903DLT1GE3
- SI1905DL-T1-GE3
- SI1903DL-T1-E3
- SI1903DLT1E3
- SI1905DLV-T1
- SI1905EDH-T1-E3
- SI1903DL-T1
- SI1905EDH-T1-GE3
- SI1903DL1-E3
- SI1906DL
- SI1903DL1
- SI1906DL-T1
- SI1906DL-T1(PCH0)
- SI1903DL
- SI19033CTU
- SI1906DL-T1-E3
- SI19030UTC
- SI1906DL-T1-GE3
- SI19030CTU
- SI1906DL-T1IC
- SI1903
- SI1902DL-TI-E3
- SI1902DL-T3
- SI1906DV-T1
- SI1907DL
- SI1907DL-T1
- SI1907DL-T1-E3
- SI1902DL-T1-GE3
- SI1907DL-T1-GE3
- SI1902DLT1GE3
- SI1908DL-T1-E3
- SI1908DL-T1-GE3
- SI1909DL-T1-E3
- SI1902DL-T1-E3IC
- SI1909DL-T1-GE3
- SI1910DL-T1-E3
- SI1902DL-T1-E3
- SI1910DL-T1-GE3