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首頁>SI1907DL-T1-E3>芯片詳情
SI1907DL-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 12V 0.56A潤聯(lián)芯城
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SI1907DL-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 12V 0.56A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市潤聯(lián)芯城科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
姚先生
- 手機(jī):
13410022949
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-88356848
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)B座25樓
相近型號(hào)
- SI1910DL-T1-E3
- SI1906DL-T1-GE3
- SI1910DL-T1-GE3
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- SI19127ACTU
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- SI1912EDH-T1-E3
- SI1905DL-T1-GE3
- SI1912EDH-T1-GE3
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- SI1905DL-T1-E3/BKN
- SI1905DL-T1-E3
- SI1905DLT1E3
- SI1913
- SI1905DL-T1
- SI19132CBU
- SI1905DL1
- SI19134CTU
- SI1905DL
- SI19135CTU
- SI1905CL-T1
- SI1913DH-T1
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- SI1905BDH-TI-E3
- SI1913DH-T1-E3
- SI1905BDH-T1-GE3
- SI1913DH-T1-GE3
- SI1905BDH-T1-E3
- SI1905BDHT1E3
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- SI1904EDH-T1-GE3
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