訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SI1905DL-T1-E3>詳情
SI1905DL-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 8V 0.6A河鋒鑫商城
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI1905DL-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 8V 0.6A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市河鋒鑫科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
楊小姐
- 手機:
13430590551
- 詢價:
- 電話:
0755-23933424
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1078號現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D
相近型號
- SI1904DL-T1-GE3
- SI1908DL-T1-GE3
- SI1903DL-T1-GE3
- SI1909DL-T1-GE3
- SI1910DL-T1-GE3
- SI1903DL-T1-E3
- SI1912EDH-T1
- SI1902DL-T1-GE3
- SI1912EDH-T1-E3
- SI1902DL-T1-E3
- SI1912EDH-T1-GE3
- SI1902DL-T1-BE3
- SI1913DH-T1-E3
- SI1902DL-T1
- SI1902DL
- SI1913DH-T1-GE3
- SI1902CDL-T1-GE3
- SI1913EDH-T1
- SI1902CDL-T1-BE3
- SI1913EDH-T1-GE3
- SI1902CDL
- SI1917EDH-T1
- SI1902
- SI1917EDH-T1-GE3
- SI1901DL-T1-GE3
- SI1900DL-T1-GE3
- SI1922EDH
- SI1900DL-T1-E3
- SI1922EDH-T1-BE3
- SI1900DL-T1
- SI1922EDH-T1-GE
- SI1900DL
- SI1922EDH-T1-GE3
- SI1926DL
- SI1869DH-T1-GE3
- SI1926DL-T1-BE3
- SI1869DH-T1-E3
- SI1926DL-T1-E3
- SI1869DH-T1-BE3
- SI1926DL-T1-GE3
- SI1869DH-T1
- SI1869DH
- SI19575CTUC
- SI1867DL-T1-E3
- SI1958DH-T1-E3
- SI1867DH-T1-GE3
- SI1865DL-T1-GE3
- SI1965DH
- SI1865DL-T1-E3
- SI1965DH-T1-BE3