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SI2312中文資料金譽(yù)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SI2312
廠商型號(hào)

SI2312
功能描述

20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
文件大小

1.88803 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

HTSEMI【金譽(yù)半導(dǎo)體】

中文名稱

深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-9 22:59:00
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SI2312規(guī)格書(shū)詳情

VDS = 20V

RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A < 31m?

RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A < 37m?

RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@3.9A

Features

Advanced trench process technology

High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    SI2312

  • 制造商：

    HTSEMI

  • 制造商全稱：

    Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

  • 功能描述：

    20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CJ/長(zhǎng)電
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