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SI2319DS-T1-GE3_NMB/美蓓亞三美_MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V兆億微波

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  • 廠家型號：

    SI2319DS-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NMB/美蓓亞三美

  • 庫存數(shù)量：

    500

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號：

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-8 10:02:00

  • 詳細信息
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原廠料號：SI2319DS-T1-GE3品牌：N/A

  • 芯片型號：

    SI2319DS-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VBSEMI【微碧半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導體（臺灣）有限公司

  • 內容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    1046.99 kb

  • 資料說明：

    P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SI2319DS-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商

  • 企業(yè)：

    兆億微波(北京)科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    魏小姐

  • 手機：

    13718660290

  • 詢價：
  • 電話：

    010-82888379

  • 地址：

    北京市海淀區(qū)上地五街16號1幢4層4110室

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