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首頁>SI2323DDS-T1-GE3>芯片詳情
SI2323DDS-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET -20V 39mOhm@4.5V -5.3A P-Ch G-III中天科工二部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SI2323DDS-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET -20V 39mOhm@4.5V -5.3A P-Ch G-III
- RoHS:
否
- 制造商:
Vishay Semiconductors
- 晶體管極性:
P-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
20 V
- 閘/源擊穿電壓:
+/- 8V
- 漏極連續(xù)電流:
5.3 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
39 mOhms
- 配置:
Single
- 最大工作溫度:
+ 150 C
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
SOT-23-3
- 封裝:
Reel
供應(yīng)商
- 企業(yè):
中天科工半導(dǎo)體(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機(jī):
13128990370
- 詢價(jià):
- 電話:
13128990370/微信同號(hào)
- 地址:
深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B
相近型號(hào)
- SI2321DS-T1-E3
- SI2324DS-T1-BE3
- SI2319DS-T1-GE3
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