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SI2365EDS-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III水星電子

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  • 廠家型號(hào)：

    SI2365EDS-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Vishay

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    10840

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-236-3

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-9 16:11:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：SI2365EDS-T1-GE3品牌：Vishay

專注原裝正品代理分銷,認(rèn)準(zhǔn)水星電子

  • 芯片型號(hào)：

    SI2365EDS-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    466.15 kb

  • 資料說(shuō)明：

    P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI2365EDS-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市水星電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13632880560

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-89585609

  • 地址：

    深圳市龍崗區(qū)平湖街道禾花社區(qū)華南大道1號(hào)華南國(guó)際印刷紙品包裝物流區(qū)二期2號(hào)樓B1C177

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