首頁(yè)>SI2392DS-T1-GE3>詳情

SI2392DS-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 100V 126mOhm@10V 3.1A N-Ch MV T-FET硅宇電子

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SI2392DS-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世科技

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    59241

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2249+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-17 8:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：SI2392DS-T1-GE3品牌：Vishay(威世)

二十余載金牌老企 研究所優(yōu)秀合供單位 您的原廠窗口

  • 芯片型號(hào)：

    SI2392DS-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說(shuō)明：

    MOSFET 100V 126mOhm@10V 3.1A N-Ch MV T-FET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI2392DS-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 100V 126mOhm@10V 3.1A N-Ch MV T-FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    100 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    5 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.135 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 最大工作溫度：

    +150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOT-23

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市硅宇電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李經(jīng)理

  • 手機(jī)：

    15873561392

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23483584

  • 傳真：

    0755-82724276

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福虹路9號(hào)世貿(mào)廣場(chǎng)A座1503室

相近型號(hào)