首頁>SI3443BDV-T1-GE3>芯片詳情

SI3443BDV-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 4.7A 2.0W 60mohm @ 4.5V富芯拓展電子

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號:

    SI3443BDV-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    VISHAY/威世科技

  • 庫存數(shù)量:

    1665

  • 產(chǎn)品封裝:

    SOT23

  • 生產(chǎn)批號:

    19+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2024-12-25 17:19:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:SI3443BDV-T1-GE3品牌:VISHAY

全新原裝只做自己庫存只做原裝

  • 芯片型號:

    SI3443BDV-T1-GE3

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱:

    微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    450.76 kb

  • 資料說明:

    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號:

    SI3443BDV-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 4.7A 2.0W 60mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市富芯拓展電子有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    顏冰穎

  • 手機:

    13510159123

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-88377616

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華富街道中航路新亞洲電子商城一期4C034房