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SI3456BDV-T1-GE3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SI3456BDV-T1-GE3
廠商型號(hào)

SI3456BDV-T1-GE3

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件大小

487.26 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-8 22:36:00

SI3456BDV-T1-GE3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

? TrenchFET? Power MOSFET

? Low On-Resistance

? 100 Rg Tested

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

? DC/DC Converters, High Speed Switching

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SI3456BDV-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 6.0A 2.0W 35mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VISHAY/威世
13+
SOT-163
3000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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VISHAY/
2020+
SOT23-6
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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VISHAY/威世
23+
NA/
3000
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
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20+
原裝
65790
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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VISHAY
SOT23-6
23500
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
詢價(jià)
VISHAY
SOT-163
6000
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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