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SI3552DV-T1-GE3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI3552DV-T1-GE3
廠商型號

SI3552DV-T1-GE3
功能描述

N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET
文件大小

598.27 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】

中文名稱

微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 20:00:00
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SI3552DV-T1-GE3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

? TrenchFET? Power MOSFET

? 100 Rg Tested

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    SI3552DV-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 2.5/1.8A 1.15W 105/200mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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