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SI3552DV-T1-GE3

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100Rgtested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SI3552DV-T1-GE3

N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

SI3552DV-T1-GE3

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號:

    SI3552DV-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 2.5/1.8A 1.15W 105/200mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SI3552DV-T1-GE3供應(yīng)商 更新時間2024-10-25 9:10:00