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SI4101DY-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET -30V .006Ohm@10V 25.7A P-Ch G-III華斯頓科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI4101DY-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET -30V .006Ohm@10V 25.7A P-Ch G-III
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市華斯頓科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱先生-余先生-夏小姐-張小姐
- 手機(jī):
13925279453
- 詢價:
- 電話:
0755-83777708/83777607/82799993
- 傳真:
0755-83355559
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓A18室/分公司:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北深紡大廈C座西7樓/市場部:華強(qiáng)北新亞洲電子市場3B047展銷柜
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