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SI4104DY-T1-GE3_VBSEMI/微碧半導(dǎo)體_MOSFET 100V 4.6A 5.0W 105mohm @ 10V中聯(lián)芯一部

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  • 廠家型號(hào)：

    SI4104DY-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VBSEMI/微碧半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    11000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOP8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-28 16:10:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：SI4104DY-T1-GE3品牌：VBsemi

假一賠百原裝正品價(jià)格優(yōu)勢(shì)實(shí)單可談

  • 芯片型號(hào)：

    SI4104DY-T1-GE3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大小：

    610.96 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI4104DY-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 100V 4.6A 5.0W 105mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市中聯(lián)芯電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    13714879722

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13714879722/0755-82725103

  • 傳真：

    0755-82701983

  • 地址：

    深圳市 福田區(qū) 振興路 上步管理大廈 501棟402室

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