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SI4104DY-T1-GE3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SI4104DY-T1-GE3
廠商型號(hào)

SI4104DY-T1-GE3
功能描述

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
文件大小

610.96 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】

中文名稱

微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-11 13:30:00

SI4104DY-T1-GE3規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

? Extremely Low Qgd for Switching Losses

? 100 Rg Tested

? 100 Avalanche Tested

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

? Primary Side Switch

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    SI4104DY-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 100V 4.6A 5.0W 105mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VBsemi
2220+
SOP8
11609
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)
VBsemi
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50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
NA/
100
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
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VBsemi
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假一賠百原裝正品價(jià)格優(yōu)勢(shì)實(shí)單可談
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只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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VISHAY/威世
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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