首頁>SI4176DY>詳情

SI4176DY_SIGMASTAR/星宸科技_MOSFET N-CH 30V 12A SO8貿(mào)澤芯城一部

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號：

    SI4176DY

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    SI

  • 庫存數(shù)量：

    11200

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOP-8

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-5-24 15:23:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：SI4176DY品牌：SI

原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO

  • 芯片型號：

    SI4176DY

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大小：

    207.71 kb

  • 資料說明：

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SI4176DY

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 12A SO8

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    TrenchFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳先生/周小姐

  • 手機(jī)：

    18923718265

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82721010

  • 傳真：

    0755-28225816

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級代理商

相近型號