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SI4214DDY-T1-E3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SI4214DDY-T1-E3
廠商型號(hào)

SI4214DDY-T1-E3

功能描述

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件大小

188.13 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Vishay威世科技

中文名稱(chēng)

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-18 15:22:00

SI4214DDY-T1-E3規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? TrenchFET??Power MOSFET

? 100 Rg Tested

? 100 UIS Tested

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

? Notebook System Power

? Low Current DC/DC

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SI4214DDY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 2N-CH 30V 8.5A SO8

  • RoHS:

  • 類(lèi)別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    TrenchFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個(gè) N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱(chēng):

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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