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SI4435DYPBF_IR/國(guó)際整流器_MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC中天科工一部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SI4435DYPBF
- 功能描述:
MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
中天科工半導(dǎo)體(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機(jī):
13128990370
- 詢價(jià):
- 電話:
13128990370/微信同號(hào)
- 傳真:
原裝正品
- 地址:
深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B
相近型號(hào)
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