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SI4435DYTRPBF	文件：88.2 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei	IRF International Rectifier	IRF
SI4435FDY	文件：192.3 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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SQ4435EY	文件：214.29 Kbytes Page：8 Pages	AutomotiveP-Channel30V(D-S)175°CMOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?AEC-Q101qualifiedd ?100RgandUIStested ?Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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SSG4435	文件：663.28 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSM4435	文件：481.73 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
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詳細參數

型號：
SI4435DYPBF
功能描述：
MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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