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SI4435DYTRPBF

Ultra Low On-Resistance

VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei

IRF

International Rectifier

SI4435FDY

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SM4435KC-TRL

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SPP4435

P-ChannelEnhancementModeMOSFET

SYNC-POWERSYNC POWER Crop.

擎力科技擎力科技股份有限公司

SPP4435B

P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

SPP4435B

P-ChannelEnhancementModeMOSFET

SYNC-POWERSYNC POWER Crop.

擎力科技擎力科技股份有限公司

SPP4435W

P-ChannelEnhancementModeMOSFET

SYNC-POWERSYNC POWER Crop.

擎力科技擎力科技股份有限公司

SQ4435EY

AutomotiveP-Channel30V(D-S)175°CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SQ4435EY

AutomotiveP-Channel30V(D-S)175?CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SQ4435EY

AutomotiveP-Channel30V(D-S)175?CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數

  • 型號：

    SI4435DYTRPBF

  • 功能描述：

    MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
23+
SOP-8
20540
保證進口原裝現貨假一賠十
 詢價
IR
2020+
SOP-8
22000
全新原裝正品 現貨庫存 價格優(yōu)勢
 詢價
INFINEON
21+
SOP8
2500
進口原裝,優(yōu)勢現貨
 詢價
22+
sot
6600
正品渠道現貨,終端可提供BOM表配單。
 詢價
IR
16+
SOP-8
6255
全新原裝/深圳現貨庫2
 詢價
INFINEON/英飛凌
19+
SOP-8
12000
進口原裝支持含稅
 詢價
IR/INFINEON
2138+
SOP-8
6900
詢價
INFINEON
22+
SOP-8
10000
原裝正品!!!優(yōu)勢庫存!0755-83210901
 詢價
Infineon Technologies
23+
8-so
6996
只做原裝正品現貨
 詢價
IR
21+
SOIC-8
9850
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價
更多SI4435DYTRPBF供應商 更新時間2025-1-28 10:15:00

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