首頁(yè)>SI4435DYTRPBF>芯片詳情

SI4435DYTRPBF_IR/國(guó)際整流器_MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V富利微電子

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SI4435DYTRPBF

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IR

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    20540

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOP-8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    熱賣庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-11 16:28:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：SI4435DYTRPBF品牌：IR

保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十

  • 芯片型號(hào)：

    SI4435DYTRPBF

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    88.2 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Ultra Low On-Resistance

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI4435DYTRPBF

  • 功能描述：

    MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市富利微電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生/朱小姐

  • 手機(jī)：

    15817200827

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23894711/15817200827

  • 傳真：

    0755-23894711

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)4501A室

相近型號(hào)