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SI4435DYTRPBF_INFINEON/英飛凌_MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V北京三盛恒業(yè)
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI4435DYTRPBF
- 功能描述:
MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
北京三盛恒業(yè)電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
王小姐/陳小姐
- 手機:
13699166460
- 詢價:
- 電話:
19180595649/13699166460
- 傳真:
02887781882
- 地址:
北京市海淀區(qū)知春路114號華源寫字樓306
相近型號
- SI4438-C2A-GM
- SI4435DDY-T1-GE3
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