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SI4435DYTRPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
SI4435DYTRPBF規(guī)格書詳情
VDSS = -30V
RDS(on) = 0.020?
Description
These P-channel HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications..
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
產(chǎn)品屬性
- 型號：
SI4435DYTRPBF
- 功能描述：
MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
12+ |
SOP8 |
40000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
SO8 |
54258 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術支持、樣品免費! |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
68000 |
原裝正品現(xiàn)貨,德為本,正為先,通天下! |
詢價 | |||
IR |
22+ |
SOP8 |
9000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
SOP8 |
20000 |
全新原廠原裝，進口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅！！ |
詢價 | ||
IR/INFINEON |
24+ |
SOP-8 |
56000 |
公司進口原裝現(xiàn)貨 批量特價支持 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
2024+ |
8-SO |
500000 |
誠信服務,絕對原裝原盤 |
詢價 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品,做服務型企業(yè) |
詢價 | ||
IR |
22+ |
SOP8 |
6000 |
進口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
SOP8 |
6850 |
只做原廠原裝正品現(xiàn)貨!假一賠十! |
詢價 |
