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SI4435DYPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
SI4435DYPBF規(guī)格書詳情
VDSS = -30V
RDS(on) = 0.020?
Description
These P-channel HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications..
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SI4435DYPBF
- 功能描述：
MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
SOP-8 |
43000 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
1742+ |
SOP-8 |
98215 |
只要網(wǎng)上有絕對(duì)有貨!只做原裝正品! |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
52000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
23+ |
SOP-8 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
N/A |
22+23+ |
NA |
20297 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFIN |
SOP8 |
699839 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
22+ |
8SOIC |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
INFIN |
22+ |
SOP8 |
37240 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
8-SO |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價(jià) | ||
INFIN |
22+ |
SOP8 |
25502 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
