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SI4435DYPBF_INFINEON/英飛凌_MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC凌旭科技三部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品屬性
- 類(lèi)型
描述
- 型號(hào):
SI4435DYPBF
- 功能描述:
MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市凌旭科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張小姐/李先生
- 手機(jī):
13692179527
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
0755-82797778/83234215
- 傳真:
0755-82705678
- 地址:
深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)501棟407
相近型號(hào)
- SI4435DY-REVA
- SI4435DY1-REVA
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