訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SI4435DYPBF>詳情
SI4435DYPBF_NVIDIA/英偉達_MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC誠利順電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI4435DYPBF
- 功能描述:
MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市誠利順電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱麗梅
- 手機:
13510692516
- 詢價:
- 電話:
0755-83015149/83204399
- 傳真:
0755-83015146
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北東方時代廣場B1609
相近型號
- SI4435DY-REVA
- SI4435DY1-REVA
- SI4435DY-REVA-E3
- SI4435DY1-E3
- SI4435DYRPBF
- SI4435DY1
- SI4435DY-T
- SI4435DY/TR
- SI4435DYT1
- SI4435DY-T1
- SI4435DY-T1-A
- SI4435DY(UMW)
- SI4435DYT1AE3
- SI4435DY
- SI4435DY-T1-A-E3
- SI4435DX-T1
- SI4435DS
- SI4435DY-T1-E3
- SI4435DDY-TI-GE3
- SI4435DDY-TIC
- SI4435DY-T1-GE3
- SI4435DDY-T1-GT3
- SI4435DY-T1-RE
- SI4435DYT1REVA
- SI4435DY-T1-REVA
- SI4435DDY-T1-GE3IC
- SI4435DY-TE2
- SI4435DY-TI
- SI4435DY-TI-A-E3
- SI4435DDY-T1-GE3
- SI4435DY-TI-E3
- SI4435DDYT1GE3
- SI4435DY-TI-REVA
- SI4435DDY-T1-GE
- SI4435DYTR
- SI4435DDY-T1-G
- SI4435DY-TR
- SI4435DDY-T1-E3SOP8
- SI4435DYTRBF
- SI4435DYTRIC
- SI4435DDY-T1-E3IC
- SI4435DYTRPBE
- SI4435DDY-T1-E3
- SI4435DYTRPBF
- SI4435DDYT1E3
- SI4435DY-TRPBF
- SI4435DDY-T1
- SI4435DYTRPBF-HXY
- SI4435DDY-T
- SI4435DYTRPBFIC