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SI4463CDY-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET P CH W/D 20V 18.6A SO8柒號(hào)芯城

SI4463CDY-T1-GE3

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  • 廠家型號(hào)：

    SI4463CDY-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世科技

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    70000

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2024+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-16 13:52:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：SI4463CDY-T1-GE3品牌：VISHAY

柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)

  • 芯片型號(hào)：

    SI4463CDY-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    218.24 kb

  • 資料說明：

    P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI4463CDY-T1-GE3

  • 制造商：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    MOSFET P CH W/D 20V 18.6A SO8

  • 功能描述：

    MOSFET, P CH, W/D, 20V, 18.6A, SO8

  • 制造商：

    Vishay Intertechnologies

  • 功能描述：

    P-Channel 60 V 0.008 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

  • 功能描述：

    MOSFET, P CH, W/D, 20V, 18.6A, SO8; Transistor

  • Polarity：

    P Channel; Continuous Drain Current

  • Id：

    -18.6A; Drain Source Voltage

  • Vds：

    -20V; On Resistance

  • Rds(on)：

    0.006ohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs：

    -10V; Power Dissipation

  • Pd：

    5W ;RoHS

  • Compliant：

    Yes

  • 制造商：

    Vishay

  • 功能描述：

    Trans MOSFET P-CH 20V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    連小若

  • 手機(jī)：

    18922805453

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83663056

  • 傳真：

    0755-83209937

  • 地址：

    福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓

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