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SI4662DY-T1-GE3_VBSEMI/微碧半導(dǎo)體_MOSFET 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V深圳廊盛

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  • 廠家型號：

    SI4662DY-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VBSEMI/臺灣微碧

  • 庫存數(shù)量：

    20000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SO-8

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-20 9:02:00

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原廠料號：SI4662DY-T1-GE3品牌：VBSEMI/臺灣微碧

原裝正品 歡迎咨詢

  • 芯片型號：

    SI4662DY-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

  • 資料說明：

    MOSFET 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SI4662DY-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳廊盛科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    18682365538

  • 詢價：
  • 電話：

    18682365538

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道上步工業(yè)區(qū)501棟410室

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