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SI4662DY-T1-GE3

VB
SO-8

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

相關(guān)企業(yè):京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司

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微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

相關(guān)企業(yè):京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SI4662DY-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VBSEMI/臺灣微碧
23+
SO-8
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
VBSEMI/臺灣微碧
23+
SO-8
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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VB
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SO-8
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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VBSEMI/臺灣微碧
23+
SO-8
20000
原裝正品 歡迎咨詢
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SOP
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SOP-8
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