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SI4714DY-T1-GE3_VBSEMI/微碧半導(dǎo)體_MOSFET 30 Volts 13.6 Amps 4.5 Watts中福國(guó)際1部

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  • 廠家型號(hào)：

    SI4714DY-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VBsemi/臺(tái)灣微碧

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    34521

  • 產(chǎn)品封裝：

    SO-8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    20+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-4 10:35:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：SI4714DY-T1-GE3品牌：VBsemi/臺(tái)灣微碧

進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十

  • 芯片型號(hào)：

    SI4714DY-T1-GE3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱(chēng)：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    275.06 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI4714DY-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30 Volts 13.6 Amps 4.5 Watts

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市中福國(guó)際管理有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13534030369

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    4000-969-680

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福虹路世貿(mào)廣場(chǎng)B座22F

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