訂購數量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SI4804DY-T1-E3>芯片詳情
SI4804DY-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 7.5A 2W柒號芯城
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI4804DY-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 30V 7.5A 2W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
連小若
- 手機:
18922805453
- 詢價:
- 電話:
0755-83663056
- 傳真:
0755-83209937
- 地址:
福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓
相近型號
- SI4804BDY-T1-GE3
- SI4810DY-T1-E3
- SI4812BDY
- SI4804BDY-T1-E3
- SI4812BDY-T1-E3
- SI4804BDY-T1
- SI4812BDY-T1-GE3
- SI4804BDY
- SI4812DY
- SI4802DY-T1-E3
- SI4812DY-T1
- SI4800DY-T1-E3
- SI4812DY-T1-E3
- SI4800DY-T1
- SI4812DY-TI-E3
- SI4800DY
- SI4814DY
- SI4800BDY-T1-GE3
- SI4814DY-T1-E3
- SI4800BDY-T1-E3
- SI4814DY-T2-E3
- SI4800BDY-T1
- SI4814DY-TI-E3
- SI4800BDY-GE3
- SI4816B
- SI4800BDY
- SI4816BDY
- SI4800B
- SI4816BDY-GE3
- SI4800
- SI4816BDY-T1
- SI47921A2GE1AMR
- SI4816BDY-T1-E3
- SI4778DY-T1-GE3
- SI4816BDY-T1-GE3
- SI4778DY-T1-E3
- SI4778DY
- SI4816DY
- SI4777-A20-GMR
- SI4816DY-T1
- SI4777-A20-GM
- SI4816DY-T1-E3
- SI4776DY-T1-GE3
- SI4818DY-T1-E3
- SI4776DY
- SI4820-A10-CU
- SI4774DY-T1-GE3
- SI4820-A10-CUR
- SI4770-A20-GM
- SI4822-A10-CUR