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SI4900DY-T1-E3

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 ?C MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    SI4900DY-T1

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 5.3A 3.1W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay Siliconix
24+
8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
詢價
Bychip
23+
SOP8
10000
高品質(zhì)替代,技術(shù)支持,參數(shù)選型
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VISHAY/威世
24+
SO-8
502507
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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Vishay/Siliconix
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7500
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VISHAY
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多SI4900DY-T1供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 17:42:00