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SI4966DY

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC OrderingInformation:Si4966DY-T1-E3(Lead(Pb)-free) Si4966DY-T1-GE3(Lead(Pb)-freeandHalogen-free)

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI4966DY

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI4966DY_V01

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC OrderingInformation:Si4966DY-T1-E3(Lead(Pb)-free) Si4966DY-T1-GE3(Lead(Pb)-freeandHalogen-free)

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI4966DY-T1-E3

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SZN4966

5W6.8??390VOLTSZENERDIODES

SSDI

Solid States Devices, Inc

SZN4966

6.8??390VOLTSZENERDIODES

FEATURES: ?HermeticallyGlassSealed ?HighPowerDissipation5W ?TightVoltageTolerance5 ?ForotherVoltage,Power,orToleranceConsultFactory. ?TX,TXV,andS-LevelScreeningAvailable5/. ?Replacementfor1N4954–1N4996

SSDI

Solid States Devices, Inc

TLE4966G

HighPrecisionHall-EffectSwitchwithDirectionDetection

Features ?2.7Vto24Vsupplyvoltageoperation ?Operationfromunregulatedpowersupply ?Highsensitivityandhighstability ofthemagneticswitchingpoints ?Highresistancetomechanicalstress byActiveErrorCompensation ?Reversebatteryprotection(-18V) ?Superiortemperaturestabi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

TLE4966H

HighPrecisionHall-EffectSwitch

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

TLE4966K

HighPrecisionHall-EffectSwitchwithDirectionDetection

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

TLE4966L

HighPrecisionHall-EffectSwitchwithDirectionDetection

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

TLE4966L

HighPrecisionHall-EffectSwitch

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

TLI4966G

HighPrecisionHall-EffectSwitchwithDirectionDetection

1.1Features ?2.7Vto24Vsupplyvoltageoperation ?Operationfromunregulatedpowersupply ?Highsensitivityandhighstability ofthemagneticswitchingpoints ?Highresistancetomechanicalstress byActiveErrorCompensation ?Reversebatteryprotection(-18V) ?Superiortemperaturest

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SI4966DY

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 7.1A 2W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
VISHAY
05/06+
SOP8
175
全新原裝100真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
SIL
2005
300
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)
 詢價(jià)
SI
24+
SOP
7500
十年品牌!原裝現(xiàn)貨!!!
 詢價(jià)
VISHY
23+
SOP-8
19567
詢價(jià)
24+
SOP
100
詢價(jià)
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2016+
SOP
4558
只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!
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24+
SOP-8
6868
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
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SOP
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
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2004
SOP-8
49
原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢
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SILICONIX
23+
NA
120
專做原裝正品,假一罰百!
 詢價(jià)
更多SI4966DY供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-22 9:16:00

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