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首頁>SI5515DC-T1-GE3>芯片詳情
SI5515DC-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8中福國際2部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI5515DC-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導體產品 >> FET - 陣列
- 系列:
TrenchFET®
- 產品目錄繪圖:
8-SOIC Mosfet Package
- 標準包裝:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 個 N 溝道(雙) FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安裝類型:
表面貼裝
- 封裝/外殼:
PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:
PowerPAK? SO-8
- 包裝:
Digi-Reel®
- 產品目錄頁面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供應商
- 企業(yè):
深圳市中福國際管理有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張先生
- 手機:
13266709901
- 詢價:
- 電話:
0755-82571134
- 地址:
深圳市福田區(qū)福虹路世貿廣場B座22F
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