訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SI5855DC-T1-E3>詳情
SI5855DC-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 3.6A 2.1W 110mohm @ 4.5V兆威電子02部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI5855DC-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 20V 3.6A 2.1W 110mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳兆威電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
鄭小姐
- 手機:
19926409052
- 詢價:
- 電話:
0755-82532883
- 傳真:
0755-83203002
- 地址:
廣東深圳龍崗區(qū)坂田街道中興路11號城市山海中心C棟606-608
相近型號
- SI5856DC-T1
- SI5856DCT1E3
- SI5856DC-T1-E3
- SI5856DC-T1-E3IC
- SI5855CDC-T1-E3
- SI5856DC-T1-GE3
- SI5855CDCT1E3
- SI5855CDCD-T1-GE3
- SI5857DUT1E3
- SI5855CDC1-E3
- SI5857DU-T1-E3
- SI5853DL-T1-E3
- SI5857DUT1GE3
- SI5853DDS-T1-GE3
- SI5857DU-T1-GE3
- SI5853DDS-T1-E3
- SI5858DUT1E3
- SI5858DU-T1-E3
- SI5853DDC-T1-GE3
- SI5858DUT1GE3
- SI5858DU-T1-GE3
- SI5883DDC-T1-E3
- SI5853DDC-T1-E3
- SI5883DDC-T1-E3IC
- SI5853DDC-T1E3
- SI5902BDC
- SI5853DDCT1E3
- SI5902BDCD-T1-GE3
- SI5853DDC-T1
- SI5902BDCT1E3
- SI5853DDCD-T1-GE3
- SI5902BDC-T1-E3
- SI5853DDC/CJ5853DDC
- SI5853DDC
- SI5902BDCT1GE3
- SI5902BDC-T1-GE3
- SI5853DC-TI-E3
- SI5902DBC-T1-E3
- SI5902DC
- SI5902DC1
- SI5853DC-T1-GE3
- SI5902DC-T1
- SI5902DCT1E3
- SI5902DC-T1-E3
- SI5902DC-T1-GE3
- SI5853DC-T1-E3IC
- SI5853DC-T1-E3/VIS
- SI5903DC
- SI5853DC-T1-E3
- SI5903DC-T1