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SI5905DC-T1中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
SI5905DC-T1 |
功能描述 | Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
文件大小 |
113.16 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡稱 |
Vishay【威世科技】 |
中文名稱 | 威世科技半導體官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-10-31 22:30:00 |
產(chǎn)品屬性
- 型號:
SI5905DC-T1
- 功能描述:
MOSFET 8V 4.1A 2.1W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2020+ |
1206-8 |
80000 |
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