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首頁(yè)>SI6875DQ-T1-E3>芯片詳情
SI6875DQ-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 6.4A宏興瑞科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SI6875DQ-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 20V 6.4A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市宏興瑞科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱小姐
- 手機(jī):
18923720076
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-23946805
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)205棟3樓A05
相近型號(hào)
- SI6876BEDQ-T1-E3IC
- SI6876EDQ
- SI6874EDQ-T1-E3
- SI6876EDQT1
- SI6874EDQ-T1
- SI6876EDQ-T1
- SI6874EDQ
- SI6876EDQT1E3
- SI6866DQ-T1-GE3
- SI6876EDQ-T1-E3
- SI6866DQ-T1-E3
- SI6880AEDQ
- SI6866DQ--T1-E3
- SI6880AEDQ-T1-E3
- SI6866DQ-T1
- SI6880AEDQ-T1-GE3
- SI6866DQ
- SI6866BDQ-T1-GE3
- SI6880EDQ
- SI6866BDQ-T1-E3
- SI6880EDQT1
- SI6862DQ-T1-GE3
- SI6880EDQ-T1
- SI6862DQ-T1-E3
- SI6880EDQ-T1-E3
- SI6862DQ
- SI6880EDQ-T1-GE3
- SI6843DQ
- SI6882EDQ
- SI6822
- SI6882EDQ-T1-E3
- SI6821DQ-T1-GE3
- SI6882EDQ-T1-GE3
- SI6821DQ-T1-E3
- SI6901DQ-T1-E3
- SI6821DQ-T1
- SI-6903
- SI6821
- SI6911DQ
- SI6820DQ-T1-GE3
- SI6911DQ-T1-E3
- SI6820DQ-T1-E3
- SI6911DQ-T1-GE3
- SI6820DQ
- SI6912DQ-T1-E3
- SI6803DQ-TI
- SI6913DQ
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