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SI6880AEDQ-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 5.8/4.7A 1.0W海芯未來電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI6880AEDQ-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 20V 5.8/4.7A 1.0W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
海芯未來半導(dǎo)體電子(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
馮小姐
- 手機:
18823440899
- 詢價:
- 電話:
18823440899
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)振興路109號華康大院2棟2層203
相近型號
- SI6880EDQ-T1-E3
- SI6876EDQ
- SI6880EDQ-T1-GE3
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- SI6882EDQ
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