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首頁(yè)>SI7606DN-T1-E3>芯片詳情
SI7606DN-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 125V 14.5A 52W 108mohm @ 10V驚羽4部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SI7606DN-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 125V 14.5A 52W 108mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市驚羽科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
劉先生
- 手機(jī):
13147005145
- 詢價(jià):
- 電話:
131-4700-5145
- 傳真:
075583040836
- 地址:
深圳市福田區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈2031室
相近型號(hào)
- SI7601DNT1E3
- SI7611DNT1GE3
- SI7601
- SI7611DN-T1-GE3
- SI-7600-EL
- SI-7600
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- SI-7550
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- SI7615CDNT1GE3
- SI7540DPT1E3
- SI7615CDN-T1-GE3
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