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SI7898DP-T1-GE3

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號:

    SI7898DP-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 150V 4.8A 5.0W 85mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
1813+
SO-8
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MOSFET,N溝道,150V,4.8A,PowerPAK SO-8
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晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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更多SI7898DP-T1-GE3供應商 更新時間2025-3-17 17:11:00