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Si7900AEDN-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 8.5A 3.1W 26mohm @ 4.5V中福國際2部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
Si7900AEDN-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 20V 8.5A 3.1W 26mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市中福國際管理有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張先生
- 手機(jī):
13266709901
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-82571134
- 地址:
深圳市福田區(qū)福虹路世貿(mào)廣場(chǎng)B座22F
相近型號(hào)
- SI7900AEDN1-E3
- SI7900EDN-1
- SI7900AEDN0T10GE3
- SI7900EDN-T1
- SI7900AEDN
- SI7900EDN-T1-E3
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- SI7900ADN-T1-GE3
- SI7900EDN-T1-GE3
- SI7900ADN-T1-E3
- SI7900ADN
- SI7901
- SI7900A
- SI7901DN
- SI7900
- SI7901DN-T1
- SI7901DN-T1-E3
- SI7901EDN
- SI7901EDNT1
- SI7901EDN-T1
- SI7898DP-T1-GE3
- SI7901EDN-T1-E
- SI7898DPT1GE3
- SI7901EDNT1E3
- SI7901EDN-T1-E3
- SI7898DP-T1-E3-T1
- SI7901EDNT1GE3
- SI7901EDN-T1-GE3
- SI7898DP-T1-E3IC
- SI7902EDN-T1-E3
- SI7898DP-T1-E3
- SI7902EDN-T1-E3IC
- SI7898DPT1E3
- SI7902EDN-T1-GE3
- SI7898DP-T1-E1
- SI7904
- SI7898DP-T1
- SI7904BDN
- SI7898DP1-E3
- SI7904BDNT1E3
- SI7898DP
- SI7904BDN-T1-E3
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- SI7904BDNT1GE3
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