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首頁>SI8483DB-T2-E1>芯片詳情
SI8483DB-T2-E1_VISHAY/威世科技_MOSFET -12V 26mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III柒號芯城
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI8483DB-T2-E1
- 功能描述:
MOSFET -12V 26mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯系人:
連小若
- 手機:
18922805453
- 詢價:
- 電話:
0755-83663056
- 傳真:
0755-83209937
- 地址:
福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓
相近型號
- SI8499DB-T2-E1
- SI8463AB-B-I81
- SI8501-B-GM
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- SI8462BB-B-IS1
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- SI8462AB-B-IS1
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