首頁(yè)>SI8821EDB-T2-E1>芯片詳情

SI8821EDB-T2-E1_VISHAY/威世科技_MOSFET -30V 128mOhm@4.5V -2.3A P-Ch G-III中天科工一部

SI8821EDB-T2-E1

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SI8821EDB-T2-E1

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Vishay Siliconix

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    30000

  • 產(chǎn)品封裝：

    4-Microfoot

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    熱賣(mài)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-18 16:46:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：SI8821EDB-T2-E1品牌：Vishay Siliconix

晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品

  • 芯片型號(hào)：

    SI8821EDB-T2-E1

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱(chēng)：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說(shuō)明：

    MOSFET -30V 128mOhm@4.5V -2.3A P-Ch G-III

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI8821EDB-T2-E1

  • 功能描述：

    MOSFET -30V 128mOhm@4.5V -2.3A P-Ch G-III

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 晶體管極性：

    P-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    30 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    +/- 12 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    2.3 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    128 mOhms

  • 配置：

    Single

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    MicroFoot-4

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13128990370/微信同號(hào)

  • 傳真：

    原裝正品

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B

相近型號(hào)