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SI9910DY-T1集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
SI9910DY-T1 |
| 參數(shù)屬性 | SI9910DY-T1 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC |
| 功能描述 | Adaptive Power MOSFET Driver1 |
| 文件大小 |
51.51 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-24 11:18:00 |
SI9910DY-T1規(guī)格書詳情
SI9910DY-T1屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器。由威世科技半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的SI9910DY-T1柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
DESCRIPTION
The Si9910 Power MOSFET driver provides optimized gate drive signals, protection circuitry and logic level interface. Very low quiescent current is provided by a CMOS buffer and a high-current emitter-follower output stage. This efficiency allows operation in high-voltage bridge applications with “bootstrap” or “charge-pump” floating power supply techniques.
FEATURES
● dv/dt and di/dt Control
● Undervoltage Protection
● Short-Circuit Protection
● trr Shoot-Through Current Limiting
● Low Quiescent Current
● CMOS Compatible Inputs
● Compatible with Wide Range of MOSFET Devices
● Bootstrap and Charge Pump Compatible (High-Side Drive)
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
SI9910DY-T1-E3
- 制造商：
Vishay Siliconix
- 類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 驅(qū)動(dòng)配置：
高端
- 通道類型：
單路
- 柵極類型：
N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電：
10.8V ~ 16.5V
- 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
1A，1A
- 輸入類型：
非反相
- 上升/下降時(shí)間（典型值）：
50ns，35ns
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
SOP8 |
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