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SIA413DJ-T1-GE3

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SIA413DJ-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
19+
QFN
8036
詢價
VISHAY
23+
QFN6
3646
原廠原裝正品
詢價
Vishay Siliconix
24+
PowerPAK? SC-70-6
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
詢價
VISHAY
23+
QFN-6
9000
只做原裝正品,深圳現(xiàn)貨
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VISHAY
23+
QFN6
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只做原裝全系列供應(yīng)價格優(yōu)勢
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VISHAY
22+
QFN-6
8000
原裝正品現(xiàn)貨假一罰十
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VISHAY/威世
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QFN-6
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原廠授權(quán)代理 價格絕對優(yōu)勢
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PowerPAK SC-70-6L
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更多SIA413DJ-T1-GE3供應(yīng)商 更新時間2024-11-19 16:04:00