訂購數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
首頁>SiA431DJ-T1-GE3>芯片詳情
SiA431DJ-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 12A 19W 25mohm @ 4.5V中福國(guó)際2部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SiA431DJ-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 20V 12A 19W 25mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市中福國(guó)際管理有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張先生
- 手機(jī):
13266709901
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-82571134
- 地址:
深圳市福田區(qū)福虹路世貿(mào)廣場(chǎng)B座22F
相近型號(hào)
- SIA432DJT1GE3
- SIA430DJT-T4-GE3
- SIA432DJ-T1-GE3
- SIA430DJT-T1-GE3
- SIA430DJT-T1-E3
- SIA432DJ-T4-GE3
- SIA430DJ-T4-GE3
- SIA432DJ-TI-GE3
- SIA433EDJ
- SIA433EDJ-T1-E3
- SIA430DJ-T1-GE3
- SIA433EDJT1GE3
- SIA430DJT1GE3
- SIA433EDJ-T1-GE3
- SIA430DJ-T1-E3
- SIA430DJT
- SIA433EDJ-T1-GES
- SIA429DJT-T1-GE7
- SIA436DJ
- SIA429DJT-T1-GE5
- SIA436DJ-T1-E3
- SIA436DJT1GE3
- SIA429DJT-T1-GE3
- SIA436DJ-T1-GE3
- SIA429DJTT1GE3
- SIA436DJ-T1-GE3IC
- SIA429DJ-T1-GE3
- SIA429DJ-T1-E3
- SIA436DJ-T4-GE3
- SIA429DJT
- SIA4371EDJ-T1-GE3
- SIA437DJ
- SIA437DJ-T1-E3
- SIA427DJ-T1-GE3
- SIA437DJT1GE3
- SIA427DJT1GE3
- SIA437DJ-T1-GE3
- SIA427DJ-T1-E3
- SIA438EDJ-T1-E3
- SIA427ADJ-T1-GE3
- SIA438EDJT1GE3
- SIA427ADJT1GE3
- SIA438EDJ-T1-GE3
- SIA427ADJ-T1-E3
- SIA439EDJ
- SIA427ADJ
- SIA439EDJ-T1-E3
- SIA439EDJT1GE3
- SIA439EDJ-T1-GE3
- SIA426DJ-T1-GE3MOS