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SIDR626EP中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SIDR626EP
廠商型號(hào)

SIDR626EP

功能描述

N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET

文件大小

177.92 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-19 9:32:00

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SIDR626EP規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? Gen IV power MOSFET

? Very low RDS - Qg figure of merit (FOM)

? Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

? 100 Rg and UIS tested

? Top side cooling feature provides

additional venue for thermal transfer

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Synchronous rectification

? Primary side switch

? DC/DC converter

? Solar micro inverter

? Motor drive switch

? Battery and load switch

? Industrial

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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