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SiHB23N60E_VISHAY/威世科技_MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS金芯世紀(jì)電子

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    SiHB23N60E

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    VISHAY/威世

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    100000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-12 20:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠(chǎng)料號(hào)：SiHB23N60E品牌：VISHAY/威世

代理渠道/只做原裝/可含稅

  • 芯片型號(hào)：

    SIHB23N60E

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱(chēng)：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    218.8 kb

  • 資料說(shuō)明：

    E Series Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    SiHB23N60E

  • 功能描述：

    MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay/Siliconix

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    20 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    23 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.158 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    D2PAK-3

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳小姐

  • 手機(jī)：

    18118707592

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-23616010

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座35層B03

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