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SIHB23N60E

iscN-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHB23N60E

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB23N60E_V01

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB23N60E-GE3

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF23N60E

Reducedswitchingandconductionlosses

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF23N60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHF23N60E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG23N60E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG23N60E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG23N60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SIHB23N60E

  • 功能描述：

    MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay/Siliconix

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    20 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    23 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.158 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    D2PAK-3

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
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提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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更多SIHB23N60E供應(yīng)商 更新時間2025-2-8 14:00:00

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